Ihre Vorteile
Hoher optischer Kontrast
Erfassung bis in den DUV-Wellenlängenbereich möglich
Maximale Auflösung
Quantitative Ermittlung der Strukturbreiten von 50 nm bis 2 µm
Vielfältige Dimensionalität
Sowohl 1D Liniengitter und 2D Kreuz-/Kreisgitter verfügbar
Optische Evaluation
Qualitätssicherung durch Astigmatismustest oder AFM-Spitzengeometrie
Große Anwendungsbreite
Durch hochauflösende Optiken (UVA, CLSM, REM und AFM)
Faire Konditionen
Unkomplizierter Direktvertrieb sichert attraktiven Preis
Mikroskopiernormale
| Nanoskalige AFM-CD Standard | Nanoskaliger Linienbreiten/ Gitterperioden-Standard | AFM-Spitzen Charakterisierer | ||
|---|---|---|---|---|
| Gittertyp: | 1-dimensional | x | x | x |
| 2-dimensional | x | |||
| zirkular | x | |||
| Linienbreiten (nominell): | 50 nm – 80 nm | x | ||
| 80 nm – 300 nm | x | x | ||
| 300 nm – 800 nm | x | x | x | |
| 800 nm - 2 µm | x | |||
| Geeignet für: | Optische Mikroskopie | x | ||
| (deep ultraviolet microscopy) UVM, (confocal laser scanning microscopy) CLSM | x | |||
| Rasterkraftmikroskopie (AFM) | x | x | x |
Produkte
AFM CD standard
Der nanoskaligen AFM-CD Normale (CD, critical dimension) basiert auf in Silizium geätzten Strukturen, mit denen sich Linienbreiten und Perioden von AFM (atomic force microscopy) Geräten kalibrieren lassen.
Damit steht eine Reihe sehr glatter und scharfkantiger Liniengitter mit senkrechten Flanken zur Verfügung, deren kleinste Linien ca. 50 nm Breite und 250 nm Tiefe haben und die mit Abweichungen unter 10 nm hochparallel sind.
Im Zentrum der nur 8×8 mm² kleinen Kalibrierchips enden die zweistufigen Findestrukturen, auf denen 6 Gruppen von 5-linigen Gittern mit verschiedenen nominellen Breiten (50, 100, 150, 200, 300 und 800 nm) angeordnet sind.
Der Abstand zwischen den Linien beträgt ca. 1µm und jede Gruppe hat eine nominelle Länge von 10 µm. Im Zusammenspiel mit den scharfkantigen Strukturen ergeben sich Kantenradien von weniger als 15 nm, die eine Kantenrauigkeit unter 5 nm (3σ) ermöglichen.
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Spezifikationen
Substrat Material: <110> Si Chipgröße: 8×8 mm² Oberflächengenauigkeit: <1 nm Findestrukturen Gräben im Si-Substrat Tiefe: 250 nm Gittertypen 1-dimensional Gittergröße ca. 10×10 µm² Linienbreiten (CD) nominell: 50 nm, 100 nm, 150 nm, 200 nm, 300 nm, 800 nm Linienbreitenabweichung längs der Linie (innerhalb eines 1 µm langen Bereichs): <3 nm 1σ Perioden 1 µm + CD-Wert Unsicherheit der Hauptperiode: 3 nm 1σ Strukturtiefe 250 nm Kantenradius <15 nm Kantenrauigkeit <5 nm (p-p) Flankenwinkel 89° Chip- und Strukturbeschreibung
REM-Bilder (Zeiss Supra 35 VP)
AFM-Spitzencharakterisierer
Das Layout für die Spitzencharakterisierung enthält eine Reihe von in Silizium geätzten sehr glatten und scharfkantigen Liniengittern mit senkrechten Flanken.
Die Abmessungen jedes Kalibrierchips betragen 8×8 mm². Im Zentrum der Kalibrierchips, wo die zweistufigen Findestrukturen enden, sind 3 Gruppen von 5-linigen Gittern mit verschiedenen nominellen Breiten (300, 500 und 800 nm) angeordnet. Der Abstand zwischen den Linien beträgt ca. 1 µm. Jede Gruppe hat eine nominelle Länge von 20 µm.
Die Strukturen sind scharfkantig mit Kantenradien kleiner als 2 nm. Die Kantenrauigkeit ist besser als 5 nm (3σ).
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Spezifikationen
Substrat Material: <110> Si Chipgröße: 8×8 mm² Oberflächenrauigkeit: <1 nm Findestrukturen Gräben im Si-Substrat·Tiefe: 1 µm Gittertypen 1-dimensional Gittergröße normalerweise 10×10 µm² Linienbreiten (CD) nominell: 300 nm, 500 nm, 800 nm Linienbreitenabweichung längs der Linien (innerhalb eines 10 µm langen Bereichs): <5 nm 1σ Perioden 1 µm + CD value Unsicherheit der Hauptperiode: 3 nm 1σ Strukturtiefe ca. 1 µm Kantenradius <2 nm Kantenrauigkeit ± 4 nm (3σ) Flankenwinkel 89° Strukturdetails
Ermittlung der AFM-Spitzengeometrie
Die Methode der in-situ Charakterisierung basiert auf der AFM-Messung von bekannten Liniengitterstrukturen und der Berechnung der Spitzengeometrie aus den Messergebnissen (siehe Bild).
Da die Flanken der Kalibrierstrukturen steiler als der halbe Konuswinkel der Messspitze sind, spiegeln die gemessenen Strukturflanken die Geometrie der Messspitze wider. Lässt sich außerdem im Vergleich zum Messspitzenradius der Kantenradius der Kalibrierstruktur vernachlässigen, stellen die gemessenen Radien auch den Messspitzenradius dar.
Linienbreitennormal
Der nanoskalige Linienbreiten- / Gitterperioden-Standard bietet verschiedene Gitterstrukturen für eine Kalibrierung der Linienbreiten sowie eine Auflösungsprüfung. Besonders geeignet ist es für Verfahren der optischen Mikroskopie, wie UVM (deep ultraviolet microscopy) und CLSM (confocal laser scanning microscopy), aber auch für AFM (atomic force microscopy). Mit den in nanokristallines Silizium geätzten Strukturen sind zudem Astigmatismustests möglich.
Durch den hohen optischen Kontrast der Strukturen bis in den UV-Wellenlängenbereich arbeitet das Linienbreitennormal in der UV-Transmissions- und der UV–Reflexionsmikroskopie sowie der Laser Scanning Mikroskopie ausgesprochen kosteneffizient, ohne jedoch Kompromisse bei der Präzision zu machen. Als Gittertypen stehen 1-dimensionale Liniengitter (für x und y) inklusive gesonderter Einzelstruktur zur CD-Bestimmung zur Auswahl, sowie 2-dimensionale Kreuzgitter und Kreisgitter.
Die Periodenwerte betragen bei Strukturbreiten zwischen 80 nm und 2 µm 160, 200, 230, 260, 300, 400, 500, 700 nm, 1 µm und 4 µm. Mit Ausnahme der größeren 4 µm Strukturen hat jedes Gitter eine Fläche von 10×10 µm².
Spezifikationen
Substrat Material: Quarz Chipgröße: 8×8 mm² Schicht nanokristallines Silizium Dicke: 25 nm Chiphalter Abmessungen: 76×26×2 mm Material: Aluminiumlegierung, eloxiert Findestrukturen Au Dicke: 100 nm Gittertypen 1-dimensional (Liniengitter für x+y) 2-dimensional (Kreuzgitter) zirkular (Kreisgitter) eine gesonderte Einzelstruktur zur CD-Bestimmung auf einer Seite des 1-dimensionalen Gitters Gittergröße normalerweise 10×10 μm² Linienbreiten (CD) nominell: 80 nm, 100 nm, 115 nm, 130 nm, 200 nm, 250 nm, 350 nm, 500 nm, 2 μm Linienbreitenabweichung längs der Linie (innerhalb eines 6 μm langen Bereichs): 8 nm 1σ Perioden 160 nm, 200 nm, 230 nm, 260 nm, 300 nm, 400 nm, 500 nm, 700 nm, 1000 nm, 4 μm Unsicherheit der Hauptperiode: 3 nm 1σ Rundheit der Kreisgitter ± 0.6 % Abweichung von der Hauptperiode in x- und y-Richtung (± 1 nm for 160 nm Gitter) Chip- und Strukturbeschreibung
Maximale Auflösung mit DUV-Mikroskop
Die DUV-Aufnahmen zeigen Strukturen des nanoskaligen Linienbreiten / Gitterperioden-Standards unter Verwendung verschiedener Objektive, dabei stehen die Zahlen über den Spalten für die Periode in nm. Nur hochauflösenden DUV-Mikroskope (λ = 248 nm) mit Immersionsobjektiv (NA = 1,2) liefern derartig gut aufgelöste Bilder des 160 nm Gitters.
